A Different Approach to Absorption Coefficient and Thickness

Authors : Ahmet Kursat BILGILI, Ömer AKPINAR, Süleyman ÖZÇELİK, Mustafa OZTURK

Pages : 643-646

Doi:10.2339/politeknik.759480

View : 28 | Download : 9

Publication Date : 2022-06-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, metal organic kimyasal buhar biriktirmeinsert ignore into journalissuearticles values(MOCVD); yöntemiyle büyütülen InGaN/GaN/Al2O3 yapısının yapısal ve morfolojik özellikleri incelendi. GaN’ın kristal boyutu X-ışını kırınımı insert ignore into journalissuearticles values(XRD); tekniği ile belirlendi. Raman spektrumu kullanılarak kalibrasyon katsayısı belirlendi. Kalibrasyon katsayısı ve termoelektrik figure insert ignore into journalissuearticles values(ZT); yapıdaki GaN’a ait yığın sayısını tahmin etmek için kullanıldı. Yığın sayısı insert ignore into journalissuearticles values(N); yapısal bir özelliktir ve onu kullanarak optik bir özellik olan soğurma katsayısı belirlendi. Atomik kuvvet mikroskobisi insert ignore into journalissuearticles values(AFM); ve tarama elektron mikroskobisi insert ignore into journalissuearticles values(SEM); kullanılarak numunenin toplam kalınlığı tam olarak belirlendi ve birbiri ile kıyaslandı. Bu çalışmada kullanılan numune sadece bir örnek teşkil eder. Eğer doğru katsayılar bulunabilirse farklı yapılara da uyarlanabilir. Bu çalışmanın önemi, farklı numunelerin optik, yapısal ve morfolojik özelliklerini belirleyebilmek için anahtar rolü oynamasıdır.
Keywords : InGaN, GaN, XRD, SEM, AFM, Raman

ORIGINAL ARTICLE URL