Mosaic Defect and AFM Study on GaN/AlInN/AlN/Sapphire HEMT Structures

Authors : Ahmet Kursat BILGILI, Erkan HEKİN, Mustafa OZTURK, Süleyman ÖZÇELİK, Ekmel ÖZBAY

Pages : 1613-1619

Doi:10.2339/politeknik.787700

View : 58 | Download : 10

Publication Date : 2022-12-16

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada GaN/AlInN/AlN/Al2O3 yüksek elektron mobiliteli transistör insert ignore into journalissuearticles values(HEMT); yapıları üç numune olacak şekilde, yüksek çözünürlüklü X-ışınları kırınımı insert ignore into journalissuearticles values(HR-XRD); tekniği ile incelendi. Hesaplamalarda roking eğrilerinden elde edilen pik pozisyonları ve pik genişlemeleri kullanıldı. Yapısal kalite simetrik ve asimetrik pik düzlemlerinden faydalanılarak belirlendi. Tedirgin edici dislokasyonlar insert ignore into journalissuearticles values(TDs);, eğim ve burkulma açıları, yanal ve düşey kristal uzunlukları gibi mozaik kusurlar Wiiliamson Hall insert ignore into journalissuearticles values(WH); metodu kullanılarak saptandı. Bunlara ilave olarak, yüzey morfolojisi atomik kuvvet mikroskopisi insert ignore into journalissuearticles values(AFM); yöntemiyle belirlendi. Epitaksiyel tabakaların kristal kalitesinin örnek C, B ve A sırasına göre düştüğü farkedildi. Örnekler A, B ve C için Al kompozisyonlarının sırasıyla %87.4, %86.6 ve %86.4 olduğu Vegard yasası kullanılarak belirlendi.
Keywords : GaN, AlInN, AlN, HEMT, safir

ORIGINAL ARTICLE URL