ZnS Nanoparçacıklar İçeren Langmuir-Blodgett İnce Filmlerin Elektriksel Özellikleri

Authors : Tayfun UZUNOĞLU, Hüseyin SARI, Rıfat ÇAPAN, Çelik TARIMCI, Tülay SERİN, Necmi SERİN, Hilmi NAMLI, Onur TURHAN

Pages : 65-72

View : 21 | Download : 9

Publication Date : 2006-06-01

Article Type : Research Paper

Abstract :C23H16N2O4 kimyasal formül ile verilen organik molekül insert ignore into journalissuearticles values(1,3-bis-insert ignore into journalissuearticles values(p-iminobenzoik asit); indan); Langmuir-Blodgett insert ignore into journalissuearticles values(LB); film tekniği ile cam alt taş üzerinde büyütüldü. Değişik kalınlıklarda büyütülen ZnCI2 katkılı filmler büyütme sonrasında H2S gazına maruz bırakılarak film içersinde ZnS yarıiletken nanoparçacıklar oluşturuldu. LB film transferinin gerçekleştiği UV spektrumu ile doğrulandı. Aynı koşullar altında benzer LB filmler metal kaplı cam yüzey üzerine büyütüldü ve elektriksel özelliklerini araştırmak için metal-organik ince film-metal yapısı şeklinde üretildi. Farklı tabakalardaki filmlerin elektriksel özellikleri H2S gazına maruz kalma aşamasından önce ve sonra ölçüldü. Nanoparçacıkların oluşumunun akım değerinde azalmaya sebep olduğu gözlendi.
Keywords : Langmuir Blodgett ince film, 1, 3 bis p iminobenzoik asit, indan, ZnS yarıiletken nanoparçacıklar