Fotovoltaik Uygulamalar için GLAD Tekniği ile Büyütülen Spiral Nano Şekilli a-Si İnce Filmlerin Elektriksel ve Yapısal Özelliklerinin İncelenmesi

Authors : Beyhan TATAR

Pages : 514-520

Doi:10.19113/sdufbed.16209

View : 16 | Download : 13

Publication Date : 2017-08-15

Article Type : Research Paper

Abstract :Spiral nano şekilli a-Si ince filmler c-Si altlıklar üzerine elektron demeti buharlaştırma sistemi içerisinde GLAD tekniği kullanılarak hazırlanmıştır. Spiral nano şekilli ince filmlerin yapısal özellikleri X-ışınları difraksiyonu insert ignore into journalissuearticles values(XRD); analizi ve Raman spektroskopi analizi ile belirlendi. Büyütülen spiral nano şekilli a-Si ince filmlerin yüzey ve arakesit morfolojileri Alan Emisyonlu Taramalı Elektron Mikroskobu insert ignore into journalissuearticles values(FE-SEM); ile incelendi. Spiral nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemlerin elektrik ve fotovoltaik özellikleri karanlık ve aydınlık şartlarda akım-gerilim ölçümleri ile incelendi. Bariyer yüksekliği Φ B , ideallik faktörü ɳ, seri direnç R s ve şant direnci R sh gibi spiral nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemlerin karanlık şartlardaki diyot parametreleri I-V karakteristiklerinden belirlendi ve sırasıyla 0,82 eV, 3,34, 1,9 kΩ ve 0,17 MΩ olarak bulundu. Spiral nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemler iyi bir fotovolataik davranış göstermiş ve açık devre gerilimi ve kısa devre akım yoğunluğu gibi fotovoltaik parametreleri sırasıyla V oc =300mV ve J sc =0,12 mA/cm 2 olarak elde edilmiştir.
Keywords : Şekilli ince filmler, Spiralnano şekilli ince film, GLAD tekniği, Heteroeklemler, Elektriksel ve fotovoltaik özellikler