Silisyum İnce Filmlerde Taban Malzemelerin Elektronik Kusurlar Üzerine Etkisinin Belirlenmesi

Authors : Gökhan YILMAZ

Pages : 69-76

Doi:10.19113/sdufenbed.946400

View : 16 | Download : 8

Publication Date : 2022-04-25

Article Type : Research Paper

Abstract :Silisyum ince filmlerin taban malzeme ve üretim koşullarına bağlı olarak kristal hacim oranları değişmektedir. Kristal hacim oranlarındaki bu farklılık ince filmlerin yasak enerji aralığında bulunun elektronik kusur çeşitlerini de etkilemektedir. Silisyum ince filmlerde atmosferik koşullardan ya da uzun süre ışığa maruz kalmalarından kaynaklı olarak elektronik kusurlar oluşmaktadır. Elektronik kusurların değişimine bağlı olarak iletkenlik değerlerinde değişimler oluşmaktadır. Bu çalışmada PECVD tekniği kullanılarak aynı anda üç farklı taban malzeme üzerine silisyum ince filmler büyütülmüştür. Büyütülen filmlerin kristal hacim oranları Raman Spektroskopisi ile yüzey morfolojileri ise taramalı elektron mikroskobu insert ignore into journalissuearticles values(SEM); yöntemi ile belirlenmiştir. Büyütülen silisyum ince filmler farklı atmosferik koşullara insert ignore into journalissuearticles values( laboratuvar atmosferi, ışık banyosu ve UV ışık yaşlandırmasına); maruz bırakılarak bilinçli bir şekilde ince filmlerin yapısında elektronik kusurlar oluşturulmuştur. Bu kusurların davranışı elektriksel iletkenlik yöntemleri olan zamana bağlı karanlık iletkenlik, fotoiletkenlik ve mobilite-yaşam süresi hesaplamaları ile incelenmiştir. Elde edilen bulgular sonucunda taban malzemelerin farklı olmasından kaynaklı malzemelerin kristal hacim oranlarında ve kalınlıklarında belirgin farklılıklar oluştuğu ve bu farklılıklardan kaynaklı olarak malzemelerin aynı atmosferik koşullarda farklı elektronik kusur durumlarından etkilendikleri belirlenmiştir.
Keywords : Silisyum ince film, PECVD, Elektronik kusurlar, Taban malzeme etkisi