The Temperature-Dependent Current-Voltage Characteristics of n-AgInSe2/p-Si Heterojunction Diode

Authors : Durmuş ALDEMİR, Murat KALELİ

Pages : 18-24

Doi:10.29233/sdufeffd.425952

View : 19 | Download : 11

Publication Date : 2018-11-30

Article Type : Research Paper

Abstract :n -AgInSe 2 / p -Si heteroeklem diyodu, AgInSe 2 ince filminin, p-tipi Si üzerine ardıl tabaka biriktirme yöntemi ile imal edilmiştir. Diyodun idealite çarpanı ve doyma akımı sıcaklık bağlı davranış göstermiştir. Aktivasyon enerjisi, geleneksel aktivasyon enerji grafiği kullanılarak hesaplanmıştır. Akım mekanizmaları kusur-destekli tünelleme ve taşıyıcı rekombinasyonu olarak belirlenmiştir. Ayrıca aktivasyon enerjisini hesaplamak için değiştirilmiş Horvath yöntemi, n -AgInSe 2 / p -Si heteroeklemi için ilk defa burada sunulmuştur.
Keywords : AgInSe2 ince film, Sıcaklık bağlılığı, Değiştirilmiş Horvath yöntemi