Sol-Jel Yöntemi ile Üretilen ZnO(Al)/p-Si Heteroekleminin Elektriksel Karakterizasyonu

Authors : Namık AKÇAY

Pages : 121-131

Doi:10.29233/sdufeffd.462245

View : 53 | Download : 12

Publication Date : 2018-11-30

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, p-tipi Silisyum insert ignore into journalissuearticles values(p-Si); üzerine katkısız Çinko Oksit insert ignore into journalissuearticles values(ZnO); ve %2 Alüminyum katkılı çinko oksit insert ignore into journalissuearticles values(ZnOAl); kaplanarak oluşturulan heteroeklemlerin elektriksel özellikleri incelenmiştir. ZnO ve ZnOAl nanoparçacıklar Sol-Jel yöntemi ile sentezlenmiş ve ZnO/p-Si, ZnOAl/p-Si heteroeklemleri döndürme kaplama tekniği ile oluşturulmuştur. Kaplama sonrası örneklere 450 o C’de 30 dk termal tavlama işlemi uygulanmıştır. 10K-300K aralığında alınan Akım-Voltaj insert ignore into journalissuearticles values(I-V); ve Kapasite-Voltaj insert ignore into journalissuearticles values(C-V); ölçümleri örneklerin çok düşük sızıntı akımına sahip diyot davranışı sergilediğini göstermektedir. C-V ölçüm sonuçlarından diyotların bariyer yüksekliği insert ignore into journalissuearticles values( V bi ); ve taşıyıcı konsantrasyonları insert ignore into journalissuearticles values( N d ); hesaplandı . Derin seviye geçiş spektroskopisi insert ignore into journalissuearticles values(DLTS); tekniği ile arınma bölgesi civarında bulunan tuzak seviyeleri araştırılmıştır. Her iki örnekte de elektron tuzaklarının varlığı tespit edilmiştir.
Keywords : ZnO ince film, Al katkılama, ZnO p Si heteroeklemi, DLTS

ORIGINAL ARTICLE URL