n-Si / GaN ince filmlerin karakterizasyonu: azot akış hızının etkisi

GaN ince filmi, Radyo Frekansı magnetron saçtırma yöntemi ile n-tipi Si üzerinde farklı azot oranları uygulanarak üretildi. XRD analizleri üretilen filmin polikristal yapıda olduğunu insert ignore into journalissuearticles values(oryantasyon insert ignore into journalissuearticles values(110); ve insert ignore into journalissuearticles values(100);); teyit etmiştir. Farklı azot akışlarında malzemenin yapısal parametrelerinin değiştiği görülmektedir. Optik analiz, çeşitli azot akış hızının Azot boşluğunun azalması nedeniyle ince film optik bant boşluk enerjisini değiştirdiğini göstermektedir. AFM resimleri, GaN ince filminin Nano yapılı bir yüzeye sahip olduğunu ve periyodik tanecik yapısı gösterdiğini neredeyse homojen olan yapıyı göstermiştir. SEM resimlerinden GaN ince filminin yüzeyinde topaklar tespit ettik. Bunların olası nedenleri tartışıldı. Raman sonuçları, altıgen GaN`nin karşılık gelen karakteristik E2 insert ignore into journalissuearticles values(yüksek); optic fonon titreşimini kanıtlamıştır ve tüm ince filmlerin sıkıştırma gerginliğine sahip olduğunu göstermiştir. Filmde oluşan bu stresin nedenleri tartışıldı. GaN ince filmin optik, morfolojik, yapısal parametreleri azot akışlarının kontrol edilmesiyle iyileştirilebilir. Üretilen ince filmler, güneş pilleri, Işık Yayan Diyot insert ignore into journalissuearticles values(LED); gibi cihaz uygulamalarında temel malzeme olabilir.