FARKLI B+ İMPLANTASYON KOŞULLARI İÇİN RADFET’LERİN ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONUNUN TCAD BENZETİM PROGRAMI İLE İNCELENMESİ

Authors : Ayşegül KAHRAMAN, Ercan YILMAZ

Pages : 53-64

Doi:10.17482/uumfd.335425

View : 46 | Download : 11

Publication Date : 2017-08-20

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, RadFET’lerin kapı oksit tabakasına implante edilmiş B + iyonlarının V th üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm kalınlıklarında kapı oksite sahip RadFET’ler, tüm üretim adımları TCAD’e tanıtılarak tasarlanmıştır. İmplantasyon öncesi ve sonrası V th değerleri, RadFET’lerin akım-gerilim insert ignore into journalissuearticles values(I d -V g ); karakteristiklerinden elde edilmiştir. Artan implantasyon enerjisi, V th değerlerinin düşmesine neden olmuştur. V th değerinin sıfır olması, daha geniş ölçülebilir doz aralığına sahip RadFET’lerin üretilmesi için önemlidir. Ancak, implantasyon enerjisindeki sürekli artışla birlikte V th , p-kanalı oluşumu nedeniyle negatif voltaj değerlerinde gözlenmemiştir. 300 nm-RadFET için en düşük V th değeri, 6.5×10 11 iyon/cm 2 bor dozu ve 72 keV’de, -1.082 V olarak bulunmuştur. 400 nm-RadFET için bu değer, 2.3×10 11 iyon/cm 2 bor dozu ve 106 keV’de, -1.139 V olarak elde edilmiştir.
Keywords : RadFET, Üretim benzetimi, B implantasyonu, Eşik gerilimi, TCAD

ORIGINAL ARTICLE URL