Ti/ p-Si Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi için I – V Yöntemlerinin Karşılaştırılması

Authors : Hatice ASIL UĞURLU

Pages : 158-167

Doi:10.53433/yyufbed.1058643

View : 19 | Download : 6

Publication Date : 2022-04-25

Article Type : Research Paper

Abstract :Ti/p-Si Schottky diyotun elektriksel özellikleri 80 K- 300 K sıcaklık aralığında ve 20 K’lik adımlarla sıcaklığın bir fonksiyonu olarak incelenmiştir. İdealite faktörü insert ignore into journalissuearticles values(n);, engel yüksekliği insert ignore into journalissuearticles values(Фb); ve seri direnç insert ignore into journalissuearticles values(Rs); gibi temel diyot parametreleri akım-gerilim insert ignore into journalissuearticles values(I-V); karakteristiği özelliklerinden faydalanarak geleneksel I-V yöntemi, Norde yöntemi ve Cheung fonksiyonlarından hesaplanmıştır. 300 K sıcaklığında engel yüksekliği değerleri I-V, Cheung ve Norde yöntemlerinden sırasıyla 0.738 eV, 0.658 eV ve 0.782 eV olarak bulunmuştur. İdealite faktörü ise I-V yöntemde 1.43 insert ignore into journalissuearticles values(300 K); ve Cheung yönteminde 3.33 insert ignore into journalissuearticles values(300 K); olarak hesaplanmıştır. 80 K- 300 K sıcaklık aralığında farklı yöntemlerden hesaplanan parametrelerin değerleri birbiriyle kıyaslanmıştır. Artan sıcaklık ile idealite faktörünün azalması ve engel yüksekliğinin artması, diyot parametrelerinin sıcaklığa güçlü bir şekilde bağlı olduğunu göstermektedir.
Keywords : Schottky diyot, Engel yüksekliği, Norde fonksiyonu, Cheung Cheung fonksiyonları, I V yöntem, Sıcaklık bağlılık