The GaN Epilayer Grown by MOVPE: Effect of The Different Nucleation Layer Temperatures

Authors : İsmail ALTUNTAS, Sezai ELAGÖZ

Pages : 6-10

Doi:10.46460/ijiea.898795

View : 13 | Download : 7

Publication Date : 2021-06-28

Article Type : Research Paper

Abstract :Farklı çekirdek tabakası sıcaklıklarının insert ignore into journalissuearticles values(LT-GaN büyüme sıcaklığı);, MOVPE tarafından büyütülen sonraki GaN epitabakasının özellikleri üzerindeki etkisi araştırılmıştır. Yerinde yansıma eğrileri, daha yüksek LT-GaN büyüme sıcaklıklarının GaN çekirdeklenme adalarının hızlı birleşmesine insert ignore into journalissuearticles values(daha kısa geçiş süresi); neden olduğunu göstermektedir. Sırasıyla, hem fotolüminesans insert ignore into journalissuearticles values(PL); hem de yüksek çözünürlüklü x-ışını kırınımı insert ignore into journalissuearticles values(HRXRD);, LT-GaN büyüme sıcaklığının sonraki GaN epilayerinin optik ve yapısal özellikleri üzerindeki etkisini göstermek için kullanıldı. LT-GaN büyüme sıcaklığındaki değişimin hem HRXRD ölçümü sonuçlarından elde edilen yarı maksimumda tam genişlik insert ignore into journalissuearticles values(FWHM); değerleri hem de sarı lüminesans tepe yoğunluğu üzerinde etkisi olduğu görülmüştür. Örnekler için sarı lüminesans tepe yoğunluklarının LT-GaN büyüme sıcaklığı ile değiştiği görülmüştür.
Keywords : Metal Organik Buhar Faz Epitaksi, Galyum Nitrür, Epitaksi, Karakterizasyon, XRD