Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi ile LiAlSi’un Basınç Altında Elektronik ve Titreşim Özellikleri

Authors : Sinem ERDEN GÜLEBAĞLAN

Pages : 1340-1346

Doi:10.31590/ejosat.657018

View : 24 | Download : 18

Publication Date : 2019-12-31

Article Type : Research Paper

Abstract :Li içerikli malzemeler teknolojini gelişmesinde önemli yere sahiptirler. Bu nedenle Li içerikli kristallerin yapısali elektronik ve dinamik özelliklerinin bilinmesi önemlidir. LiAlSi kristalinin yapısal, elektronik ve örgü dinamik özellikleri, ab-initio pseudopotential metodu ve Genel Gradient Yaklaşımı ile doğrusal bir tepki ile gerçekleştirilmiştir. LiAlSi kristali Zincblende yapıda olup uzay grubu 'dir. LiAlSi kristalinin örgü parametresi 6.0306 Å olarak bulunmuştur. Hesaplanan örgü parametresi, yığın modulü ve yığın modülünün birinci dereceden basınç türevi, deneysel ve diğer teorik hesaplamalar ile uyumludur. Elektronik band yapısı ve fonon dağılım eğrisi, Quantum Espresso programı kullanılarak analiz edilmiştir. Fonon dağılım eğrisi ve fonon durumların yoğunluğu, yoğunluk fonksiyonel pertürbasyon teorisi ile hesaplanmıştır. Fonon frekans değerleri pozitif olduğundan LiAlSi kristali kararlı yapıdadır. Daha sonra P= 8.892 GPa basınç altında elektronik band yapısı ve fonon dağılım eğrisi incelenmiştir. P=0.0 GPa basınçta LiAlSi kristali yarıiletken özelliği gösterirken P= 8.892 GPa basınç uygulandığında iletken özelliği gösterdiği ortaya konmuştur. Bu basınç değerinde de fonon frekans değerleri pozitiftir. Ayrıca iki farklı basınç altında (P=0.0 GPa ve P=8.892 GPa) Γ, X ve L yüksek simetri noktalarındaki enine, boyuna akustik ve enine, boyuna optik mod değerleri listelenmiştir. Bu çalışmanın sonuçlarının literatüre katkı olacağı düşünülmektedir.
Keywords : LiAlSi, Elektronik özellikler