Doğal Oksit Arayüzey Tabakalı Zr/p-Si Schottky Diyotlarının Yüksek Frekanslarda Kapasite-Gerilim ve İletkenlik-Gerilim Karakteristiklerinin Analizi

Authors : Durmuş Ali ALDEMİR, Havva Elif LAPA, Ahmet Faruk ÖZDEMİR, Nazım UÇAR

Pages : 1024-1030

Doi:10.17798/bitlisfen.655179

View : 47 | Download : 9

Publication Date : 2020-09-26

Article Type : Research Paper

Abstract :Termal buharlaştırma yöntemiyle imal edilen Zr/SiO2/p-Si Schottky diyotların kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) ve iletkenlik-gerilim-frekans (G-V-f) ölçümleri 500 kHz - 3 MHz aralığında 5 farklı frekansta ve oda sıcaklığında alınmıştır. 1 MHz frekans için C-V karakteristiği yardımıyla arayüzey oksit tabakasının kalınlığı 2.33 nm olarak hesaplanmıştır. Güçlü birikim bölgesindeki C ve G değerleri kullanılarak seri direncin ortalama değeri 70.5 Ω olarak elde edilmiştir. Bu diyotlar için, Hill-Coleman metodu ile hesaplanan arayüzey durum yoğunluğunun (Dit) artan frekansla azaldığı görülmüştür. Elde edilen bulgulara göre, Zr/SiO2/p-Si Schottky diyotları hızlı anahtarlama için umut vaat edicidir.
Keywords : Schottky diyot, Silikon, Kapasite iletkenlik

ORIGINAL ARTICLE URL