Cluster Formation on Semiconductor surface and Statistics

Çalışmada yarıiletken yüzeyler Monte Carlo yöntemi ile büyütülmüş, belirli bir kaplama oranına eriştikten sonra yüzeye gelen parçacık akısı durdurularak yüzeyin denge şekline ulaşması beklenmiştir. Daha sonra yüzey üzerinde oluşan bir atom yüksekliğindeki öbeklerin istatistiki dağılımı incelenmiştir. Çalışma farklı sıcaklıklar, farklı akı değerleri ve farklı kaplama oranları için tekrarlanmış, bunların öbek istatistiği üzerindeki etkisi araştırılmıştır. Ayrıca öbek oluşumu ve bunların istatistiği ile problemin enerji parametreleri arasındaki bağlantıları araştırılmıştır.  Çalışmada 60, 80, 100, 130K sıcaklık değerleri kullanılmıştır. Simülasyon yüzeyi olarak 200x200 atomdan oluşan kare bir örgü seçilmiştir. Yüzey kaplama oranı %5, %10 ve %15 değerlerine ulaşıldığında büyütme durdurulmuş ve dengeye ulaşması beklenmiştir. Yüzeyde oluşan öbeklerin istatistikleri incelendiğinde yüzey sıcaklığı, akı ve kaplama oranının öbeklerin istatistiklerini etkiledikleri görülmüştür.