Biyolojik Yöntem ile GO Katkılı Al/(Biyo-ZnO)/pSi Schottky Diyotların Üretimi ve Elektriksel Karakterizasyonu

Authors : Mine KIRKBINAR, Fatih ÇALIŞKAN

Pages : 1623-1634

Doi:10.29130/dubited.1171313

View : 77 | Download : 69

Publication Date : 2023-07-31

Article Type : Research Paper

Abstract :Biyolojik sentez yöntemi, kimyasal ve fiziksel yöntemlerin aksine toksik kimyasallar ve yüksek enerji gerektirmediği için zararsız, düşük maliyetli ve kolay uygulanabilir bir yöntemdir. Biyolojik sentez yöntemiyle nano boyutlu metaloksitler ve metaloksit olmayan tozlar üretilebilmektedir. Metaloksitler içerisinde yer alan çinkooksit insert ignore into journalissuearticles values(ZnO); elektriksel ve kimyasal özellikleri nedeniyle sağlık, elektronik ve yarıiletken cihazlar gibi geniş bir kullanım alanına sahiptir. ZnO birçok yöntemle üretilebileceği gibi biyolojik yöntemle de üretilebilmektedir. ZnO geniş bant aralığı, yüksek bağlanma enerjisi ve UV ışığa duyarlılığı nedeniyle elektronik ve optik sektörü için araştırmacıların ilgisini çekmektedir. ZnO film kaplamalarda hızlı elektron-deşik rekombinasyonu nedeniyle yapıya farklı malzemelerin dop edilmesi ile yük taşıyıcı konsantrasyonu arttırılarak elektriksel özellikler geliştirilebilmektedir. Bu çalışmada biyolojik sentez yöntemi ile ZnO tozu ve Hummer metodu ile grafenoksit insert ignore into journalissuearticles values(GO); sentezlenmiştir. Elde edilen nihai tozlar sol jel yöntemiyle solüsyon haline getirilmiş ve silisyum altlıkların yüzeyine döndürme kaplama yöntemi ile kaplanmıştır. Kaplama işlemi 3000 dv/dk 30 saniyede gerçekleştirilmiştir. Hazırlanan ince film kaplamalar için alüminyum insert ignore into journalissuearticles values(Al); ohmik ve doğrultucu kontaklar fiziksel buhar biriktirme insert ignore into journalissuearticles values(PVD); yöntemiyle kaplanmıştır. Kaplamalar morfolojik ve kimyasal olarak taramalı elektron mikroskobu insert ignore into journalissuearticles values(FESEM); ve X-ışını kırınım insert ignore into journalissuearticles values(XRD); ile karakterize edilmiştir. Kesitten alınan FESEM görüntüleri, kaplama kalınlığının ortalama 200 nm olarak elde edildiğini ve yüzey görüntüsü, homojen kaplama yapıldığını göstermektedir. EDS analizi ile yüzeyde GO’dan kaynaklanan C, O atomları ve ZnO’dan kaynaklanan Zn, O atomları tespit edilmiştir. Elektriksel karakterizasyon için karanlık ortamda Keıthley 2400 cihazında ±4 V aralığında akım-voltaj insert ignore into journalissuearticles values(I-V); analizi yapılmıştır. Elde edilen verilerden ideal parametrelere sahip Shottky diyotun GO katkılı biyolojik sentezle üretilmiş ZnO kullanılan insert ignore into journalissuearticles values(Al/insert ignore into journalissuearticles values(Biyo-ZnO:GO);/pSi); diyot olduğu belirlenmiştir.
Keywords : Grafenoksit, Çinkooksit, Schottky Diyotlar

ORIGINAL ARTICLE URL