Investigation of the Dependence of Ambipolarity on Channel Thickness for TMDC Based Field Effect Transistors

Authors : Merve ACAR, Mehmet ERTUGRUL

Pages : 825-836

Doi:10.18185/erzifbed.923845

View : 14 | Download : 14

Publication Date : 2021-08-31

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada ağırlıklı olarak güncel ambipolar alan etkili transistor üzerinde duruldu. Ambipolarite, son yıllarda birçok uygulama için önemli hale geldi. Literatürde ambipolariteye neden olan birçok faktör bildirilmiştir. Bununla birlikte, ambipolaritenin nedenleri literatürde tam olarak araştırılmamıştır. Bu çalışmada, ambipolarite derecesi, WS2 FET cihazı için kanal kalınlığının bir fonksiyonu olarak belirlenmiştir. Kalınlık arttıkça ambipolarite derecesinin sıfıra yaklaştığı görülmüştür. Ambipolarite derecesinin sıfıra yaklaşması, WS2 kanalının doğal n-tipi davranış sergilediğini ve ambipolarite etkisinin ortadan kalktığını gösterir.
Keywords : alan etkili transistör, ambipolarite, TMDC