METAL-OKSİT-YARIİLETKEN (MOS) KAPASİTÖRÜN DİELEKTRİK PARAMETRELERİNİN FREKANS VE SICAKLIK BAĞIMLILIĞI

Authors : Adem TATAROĞLU

Pages : 65-70

View : 19 | Download : 19

Publication Date : 2016-06-10

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada,   silisyum nitrür  (Si 3 N 4 ) oksit tabakalı MOS kapasitörün dielektrik parametreleri araştırılmıştır. Admitans ölçümleri (kapasitans ve iletkenlik), 300-400 K sıcaklık aralığında üç farklı frekans için (100, 500 ve 1000 kHz) gerçekleştirildi. MOS kapasitörün dielektrik parametreleri bu ölçümler kullanılarak hesaplandı. Dielektrik sabiti (ε') ve kayıp (ε'') artan sıcaklıkla artarken artan frekansla azalmaktadır. Elde edilen ac iletkenlik(s ac ) değerleri artan sıcaklık ve frekans ile artmaktadır. Ayrıca, elektriksel iletkenliğin Arrhenius eğrileri (lns ac -1000/T), 300-320 K ve 340-400 K sıcaklık aralığında farklı eğimli iki lineer bölge gösterdi. Aktivasyon enerjileri (E a ), iki lineer bölgenin eğiminden hesaplandı.
Keywords : MOS kapasitör, admitans ölçümleri, dielektrik parametreler