The barrier height (BH) and ideality factor (n) distribution in identically prepared Al/ Bi3Ti4O12/n-Si (MFS) structures

Bu çalışmada, aynı şartlarda hazırlanmış 60 adet Al/Bi3Ti4O12/n-Si (MFS) diyot için engel yükseklikleri (bo) ile idealite faktörleri (n) arasındaki bağıntı, doğru ön-gerilim akım-voltaj (IV) karakteristikleri kullanılarak oda sıcaklığımda incelendi. Deneysel sonuçlar, aynı koşullarda ve aynı n tipi Si wafer üzerinde hazırlanmalarına rağmen, bu diyotların bo ve n değerleri oldukça farklılık göstermiştir. Yüksek n değerleri, BTO arayüzey tabakanın kalınlığına ve engel homojensizliğine atfedildi. Bu istenmeyen durumun fiziksel kaynağını açıklamak, ilerde üretilecek numunelerin kalitesi ve tekrarlanabilirliği açışından oldukça önem arz etmektedir. bo ve n değerlerindeki değişimin oldukça Gaussyen dağılıma uyduğu görüldü ve bu değerler arasında, bo=(-0.065n+1.005) eV şeklinde lineer bir bağlantı elde edildi.