Au/Si3N4/p-GaAs (MIS) Yapısının Frekansa Bağlı Dielektrik Parametrelerinin Analizi

Authors : Raziye Ertuğrul Uyar

Pages : 161-168

View : 49 | Download : 15

Publication Date : 2024-11-28

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışma, Au/Si3N4/p-GaAs (MIS) yapısının dielektrik özelliklerinin frekansa bağlılığını incelemeyi amaçlamaktadır. Deneysel C-V-f ve G/ω-V-f ölçümleri 10 kHz ila 1 MHz frekans aralığında ve 300 K°\'de yapılmıştır. Bu ölçümlerden MIS yapısının dielektrik sabiti (ε\'), dielektrik kayıp (ε\'\'), dielektrik kayıp tanjantı (tanδ), ac elektriksel iletkenlik (σac), elektrik modülüs (M*) ve empedans (Z*) gibi parametreler hesaplanmıştır. Ölçüm sonuçlarından elde edilen C ve G/ω değerlerinin frekans arttıkça azaldığı gözlenmiştir. Ayrıca, hesaplanan ε\' ve ε\'\' değerlerinin frekansın artmasıyla birlikte azaldığı belirlenmiştir. Ac iletkenliğinin frekans arttıkça yaklaşık 100 kHz\'e kadar yavaşça arttığı, ancak bu değerden sonra hızla arttığı gözlenmiştir. Elektrik modülüsünün reel kısmı (M\') değerlerinin, yaklaşık 30 kHz\'e kadar frekans artışıyla arttığı, ancak bu noktadan sonra azaldığı, elektrik modülüsünün sanal kısmı (M\'\') değerlerinin ise yaklaşık 30 kHz\'e kadar azaldığı ancak sonra arttığı görülmüştür. Bununla birlikte, kompleks empedansın reel (Z\') ve sanal (Z\'\') kısımlarının frekans artışıyla birlikte azaldığı gözlenmiştir. Sonuç olarak, MIS yapının dielektrik karakteristiklerinin frekansa oldukça duyarlı olduğu gözlenmiştir.
Keywords : Silisyum Nitrat Si3N4, MIS Yapı, Dielektrik Özellikler, İletkenlik, Elektrik Modülüs

ORIGINAL ARTICLE URL