BaRu2As2 Malzemesinin Fiziksel Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi Kullanılarak İncelenmesi

BaRu 2 As 2 bileşiğinin yapısal, elektronik, fonon ve süperiletkenlik özellikleri ab initio pseudopotansiyel metodu kullanılarak incelendi. Elektronik hesaplamaların sonucunda, Fermi enerjisi durum yoğunluğu (N(E F )) 1.79 durum/eV olarak bulundu ve Fermi enerjisi civarında en büyük katkı Ru 4d ve As 4p orbitallerinden kaynaklandığı gözlemlendi. Bu bileşiğin fonon dağılım eğrilerinin ve fonon durum yoğunluğunun hesaplaması doğrusal tepki metodu kullanılarak yapıldı. Fonon dağılım eğrileri ve fonon durum yoğunluğu sonuçları BaRu 2 As 2 bileşiğinin dinamik kararlı olduğunu gösterdi. Ayrıca doğrusal tepki metodu ve Migdal-Eliashberg yaklaşımı kullanılarak BaRu 2 As 2 bileşiğinin elektron-fonon matris elemanları hesaplandı. Bu matris elemanları yardımıyla BaRu 2 As 2 bileşiği için ortalama elektron-fonon etkileşim parametresi  λ  = 0.21  gibi zayıf bir etkileşim olarak bulundu. Bu sonuç incelenen bileşikte elektron-fonon etkileşiminin çok küçük olduğunu göstermektedir. Bu düşük  λ  değeri incelenen bileşikte 0.1 K değerine kadar geleneksel süperiletkenlik gözlemlenememesini açıklamaktadır.