Investigation of the X-ray fluorescence parameters and valance electronic structure for Ni in Ni-B/hBN coating materials with doped TMAB and saccharine

Authors : Oğuz Kağan KÖKSAL, İsmail Hakkı KARAHAN

Pages : 89-97

Doi:10.17714/gumusfenbil.1030049

View : 18 | Download : 14

Publication Date : 2022-09-30

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu araştırmada, Ni-B alaşımlı kaplamalarda Ni\`nin K kabuğu değerlik elektronik yapısı, X-ışını emisyonu ve XRD spektrumları toplanarak incelenmiştir. Elde edilen veriler K beta/K alfa X-ışını yoğunluk oranları ve XRD verileri açısından değerlendirildi. Kaplanmış alaşımlar, bu çalışma için farklı konsantrasyonlarda altıgen bor nitrür insert ignore into journalissuearticles values(hBN); kullanılarak elektrokimyasal depolama yöntemiyle üretilmiştir. Mevcut örneklere sabit konsantrasyonda sakarin ve trimetilamin boran kompleksi insert ignore into journalissuearticles values(TMAB); ilave edildi. Mevcut örnekler, 241 Am halka şeklindeki radyoaktif kaynaktan gelen 59.5 keV fotonları tarafından uyarıldı. Örneklerden yayılan K kabuk X-ışınları, 5,9 keV\`de 150 eV çözünürlüğe sahip bir Ultra-LEGe dedektörü vasıtasıyla tespit edildi. Ni-B alaşımlarının K kabuğu X-ışını yoğunluk oranları saf Ni ile kontrol edildi. Mevcut sonuçlardaki değişimler, katkılı TMAB ve sakarin içeren Ni-B/hBN kaplama malzemelerinde Ni\`nin değerlik elektronik yapılarındaki değişim ile yorumlanmıştır.
Keywords : Şiddet oranı, K kabuğu, XRD, XRF, Değerlik elektron yapısı