MOSFET tabanlı kayıplı Endüktans benzetimi

Home Page
About
Submit A Journal
Submit A Conference
Submit Paper/Book
- Submit a Preprint
- Submit a Book
Contact

Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
Volume:9 Issue:1
MOSFET tabanlı kayıplı Endüktans benzetimi

MOSFET tabanlı kayıplı Endüktans benzetimi

Authors : Yunus BABACAN, Abdullah YESIL

Pages : 30-38

Doi:10.21597/jist.428412

View : 37 | Download : 9

Publication Date : 2019-03-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada sadece MOSFET’lerden oluşan endüktans benzetimi devresi sunulmuştur. Ana yapı olarak sadece iki transistordan ve bir topraklı kapasiteden meydana gelmiştir. Kutuplanması yapılmış tüm yapı ise sadece beş transistordan oluşmaktadır. Devrede harici kapasite yerine MOS-kapasite kullanılmıştır. Devrenin endüktans değeri elektronik olarak ayarlanmaktadır. Devrenin serimi Cadence programı yardımıyla çizilmiş ve serim sonrası benzetimler makaleye eklenmiştir. Ayrıca sunulan endüktans benzetiminin performansını belirtmek amacıyla ikinci dereceden gerilim-modlu band-geçiren filtre devresi kurulmuştur. Benzetim sonuçları teorik sonuçlar ile uyum içinde olduğu görülmektedir.
Keywords : MOSFET C, endüktans benzetimi

ORIGINAL ARTICLE URL

* There may have been changes in the journal, article,conference, book, preprint etc. informations. Therefore, it would be appropriate to follow the information on the official page of the source. The information here is shared for informational purposes. IAD is not responsible for incorrect or missing information.