Investigation of the Voltage Dependent Surface States and Their Relaxation Time of the Al/CdZnO/p-Si (MIS) Structure Via Admittance Method

Authors : Esra ERBİLEN TANRIKULU

Pages : 1359-1366

Doi:10.21597/jist.534345

View : 34 | Download : 11

Publication Date : 2019-09-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Al/CdZnO/p-Si (MIS) yapısının voltaja bağlı arayüzey durumları / tuzakları (Nss) ve bu durumların gevşeme süreleri () 5 kHz-1 MHz frekans aralığındaki C-V-f ve G/-V-f ölçümleri kullanılarak admitans yöntemi ile incelenmiştir. Hem C hem de G/ değerleri voltaj ve frekansın güçlü bir fonksiyonu olarak bulundu ve bu değerler hemen hemen her voltaj için azalan frekansla artar. Düşük frekanslarda elde edilen daha yüksek C ve G değerleri, CdZnO/p-Si arayüzeyi arasında yer alan Nss varlığından kaynaklanmaktadır. Düşük frekanslarda, tuzaklardaki yüklerin gevşeme süresi uygulanan ac sinyalin periyodundan (≥T) daha büyüktür, bu nedenle ölçülen C ve G/ değerlerine katkıda bulunabilirler. Ayrıca, Nss varlığı yapının hesaplanan paralel iletkenlik (Gp/)-Lnf eğrilerinde bir pike neden olur. Böylece, hem Nss hem de  değerleri, sırasıyla pik değerinden ve pikin konumundan hesaplandı. Nss ve  değerleri, sırasıyla 1.7 V’da 1.65x1013 eV-1 cm-2, 31.4s ve 3 V’da 1.39x1013 eV-1 cm-2, 9.18 s arasında değişmiştir. Bu değerler oda sıcaklığında bu yapılar için çok uygundur.
Keywords : Admitans metodu, Arayüzey durumları, Gevşeme süresi, Al CdZnO p Si MIS tip yapılar

ORIGINAL ARTICLE URL