Au/p-Si, Au/PVA/p-Si ve Au/PVA:Gr/p-Si Schottky Bariyer Diyotların Üretimi ve Temel Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi

Authors : Gülçin ERSÖZ DEMİR

Pages : 157-168

Doi:10.21597/jist.799054

View : 49 | Download : 17

Publication Date : 2021-03-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, Metal-Yarıiletken (Au/p-Si) diyotlar, polimer arayüzey malzemesinin diyotların elektriksel özellikleri üzerine etkisini araştırmak ve geliştirmek için; saf polivinil alkol (PVA) arayüzeyli (Au/PVA/p-Si) ve %3 Grafen katkılı PVA arayüzeyli (Au/PVA:Gr/p-Si) olmak üzere üç farklı tip Schottky Bariyer diyot üretildi. Hazırlanan diyotların elektriksel özelliklerinin yanı sıra PVA ve PVA:Gr arayüzey malzemesinin etkisi araştırıldı. Her bir diyotun akım-gerilim karakteristiği oda sıcaklığında incelendi. Au/p-Si, Au/PVA/p-Si ve Au/PVA:Gr/p-Si Schottky Bariyer diyotların seri direnç (Rs), bariyer yüksekliği (ΦB0), arayüz durum yoğunluğu (Nss) ve idealite faktörü (n) gibi temel elektriksel parametreleri akım-gerilim verileri kullanılarak Termiyonik Emisyon (TE) teorisinden elde edildi. Termiyonik Emisyon teorisi ile elde edilen Rs ve ΦB0 parametrelerini karşılaştırmak amacıyla Norde metodu da kullanıldı. TE teorisi ile elde edilen n, Rs ve ΦB0 değerleri, Au/p-Si için sırasıyla 14.46, 275.33 , 0.66 eV, Au/PVA/p-Si için 4.98, 155.58  ve 0.72 eV olarak bulunurken, Au/PVA:Gr/p-Si için ise sırasıyla 5.61, 432.43  ve 0.77 eV olarak hesaplandı. Norde metodu ile elde edilen Rs ve ΦB0 değerleri ise, Au/p-Si için 362.39 ve 0.70 eV, Au/PVA/p-Si için 175.07  ve 0.75 eV olarak elde edilirken, Au/PVA:Gr/p-Si için 525.21 ve 0.76 eV (PVA:Gr) olarak bulundu. Norde ve Termiyonik Emisyon teorisi yöntemleriyle bulunan değerler birbiri ile uyumludur. Deneysel sonuçlar, PVA:Gr arayüzeyinin MPY yapıların elektriksel parametrelerinde iyileştirme sağladığını göstermiştir.
Keywords : Akım gerilim özellikleri, Arayüzey durum yoğunluğu, MPY Schottky Diyot

ORIGINAL ARTICLE URL