MOCVD ile büyütülen GaN p-i-n yapısındaki sarı ışık merkezinin elektro-optik ölçümlerle incelenmesi

Authors : Neslihan AYARCI KURUOĞLU

Pages : 207-216

Doi:10.21597/jist.962671

View : 40 | Download : 6

Publication Date : 2022-03-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, metal organik buhar fazlı epitaksi ile üretilmiş GaN p-i-n yapı, elektrolüminesans (EL) ve sıcaklığa akım-gerilim ölçümleriyle incelenmiştir. GaN p-i-n yapının, düz besleme geriliminde uzay yükü sınırlamalı bölgeye karşılık gelen 50 mA enjeksiyon akımı altında, tepe noktası 2.2 eV enerjisinde olan sarı ışık yaydığı gözlenmiştir. Ayrıca, uzay yükü sınırlamalı bölgeden türetilen mobilitenin, elektrik alan bağlılığının Poole-Frenkel türünde olduğu saptanmış ve termal enerji aralığı 0.299 eV olarak hesaplanmıştır. Hesaplanan bu enerji aralığı, EL ölçümünden elde edilen sonuçlarla desteklenmiştir.
Keywords : GaN, p i n yapı, elektrolüminesans, akım gerilim karakterizasyonu, mobilite

ORIGINAL ARTICLE URL