Dielectric Properties of Graded and Non-Graded InGaN/GaN MQWs

Home Page
About
Submit A Journal
Submit A Conference
Submit Paper/Book
- Submit a Preprint
- Submit a Book
Contact

Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi
Volume:11 Issue:1
Dielectric Properties of Graded and Non-Graded InGaN/GaN MQWs

Dielectric Properties of Graded and Non-Graded InGaN/GaN MQWs

Authors : Ahmet Kursat BILGILI, Mustafa OZTURK, Süleyman ÖZÇELİK, Adem TATAROGLU

Pages : 214-221

Doi:10.31466/kfbd.841375

View : 34 | Download : 11

Publication Date : 2021-06-15

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, Metal organik kimyasal buhar biriktirme(MOCVD) metoduyla safir (Al2O3) üzerine büyütülen dereceli ve derecesiz InGaN/GaN MQW’lerin dielektrik özellikleri incelendi. Dereceli tabakanın MQW’nin karakteristikleri üzerine etkisini fark edebilmek için bazı GaN tabakalar In aşılanarak büyütülmüştür. Filmlerin dielektrik fonksiyonu Swanepoel zarf metodu ile belirlenmiştir. Filmlerin gerçel ve imajiner dielektrik katsayıları, kırılma indisi ve soğurma katsayıları kullanılarak hesaplanmıştır. Dereceli ve derecesiz örnekler için kırılma indisi değerlerindeki farklılıklar tartışılmıştır. Dielektrik fonksiyonunun belirlenmesi sırasında, her iki numune için kompleks ve imajiner dielektrik sabitlerinin foton enerjisine göre değişimleri gösterilmiştir
Keywords : Swanepoel zarf metodu, dereceli, derecesiz, InGaN

ORIGINAL ARTICLE URL

* There may have been changes in the journal, article,conference, book, preprint etc. informations. Therefore, it would be appropriate to follow the information on the official page of the source. The information here is shared for informational purposes. IAD is not responsible for incorrect or missing information.