General electrical characterisation of Ag/TiO2/n-InP/Au Schottky Diode

Authors : Ahmet Kursat BILGILI, Rabia ÇAĞATAY, Mustafa OZTURK, Metin ÖZER

Pages : 328-339

Doi:10.31466/kfbd.856824

View : 18 | Download : 8

Publication Date : 2021-12-15

Article Type : Research Paper

Abstract :Bu çalışmada, püskürtme metodu ile Ag/TiO2/n-InP/Au yapılar, 500 m kalınlığında (100) yönelimli ve3.13x1018 cm-3 taşıyıcı yoğunluğuna sahip n-InP yarı iletkeni ile büyütülmüştür. TiO2 , 60 A kalınlığında bir arayüz olarak büyütülmüştür. Bu yapının bazı parametreleri 120-360 K aralığında incelenmiştir. Akım-Voltaj (I-V) grafiğinde iki farklı lineer bölgenin olduğu farkedilmiştir. Bu iki bölge LBR (düşük beslem bölgesi) ve MBR (orta beslem bölgesi) olarak adlandırılmıştır. Richardson sabiti ve ortalama bariyer yüksekliği, çift Gaussian dağılımı ile hesaplanmıştır.
Keywords : TiO2, n InP, Richardson sabiti, Gaussian dağılımı, Schottky