Saçtırma Yöntemi ile Üretilen Işığa Duyarlı Germanyum Katkılı Tungsten Oksit Filmin Elektriksel Karakterizasyonu

Authors : Mustafa Şükrü KURT

Pages : 964-975

Doi:10.31466/kfbd.1178929

View : 14 | Download : 7

Publication Date : 2022-12-15

Article Type : Research Paper

Abstract :Magnetron saçtırma yöntemi kullanılarak Al kontaklı p-tipi Si altlık üzerine %3.1 Ge katkılı WOx katmanı büyütülerek p-n tipi Al/Si/WOxinsert ignore into journalissuearticles values(%3.1Ge); eklemi elde edilmiştir. SEM ve EDS analizi sonuçları yüzeyin pürüzsüz ve homojen bir yapıya sahip olduğunu ve sırasıyla %93.7 W, 3.1% Ge ve 3.3% O oranlarından oluştuğunu göstermektedir. Elektriksel özelliklerin incelenebilmesi için üretilen aktif tabaka üzerine Ag nokta kontaklar atılarak sonuçta Al/Si/WOxinsert ignore into journalissuearticles values(%3.1Ge);/Ag yapısı elde edilmiştir. Üretilen heteroeklemin karanlık ve değişik ışık şiddetleri altında ±4V potansiyel aralığında I-V ölçümleri yapılarak diyot parametreleri insert ignore into journalissuearticles values(seri direnç, engel yüksekliği, diyot idealite faktörü, ters doyum akımı); incelenmiştir. Diyot idealite faktörünün ve seri direncin sırasıyla 3.7-5.68 ve 0-20Ω arasında, engel yüksekliğinin ise 0.12-0.18 eV arasında değerler aldığı ve ters doyma akımının ışık şiddetine bağlı değişim gösterdiği saptanmıştır. Heteroeklemi\`nin tipik fotodiyot davranışı gösterdiği ve 60mW/cm2 ışık şiddeti altında maksimum doldurma faktörü değerinin 0.2660 olduğu belirlendi.    
Keywords : Tungsten Oksit Germanyum, Metal oksit yarıiletken, Fotodiyot, p n tip eklem, I V, Tungsten Oxide Germanium, Metal oxide semiconductor, Photodiode, p n type junction