µc-Si:H İnce Film Malzemeler ve Metastabilite Etkileri

Authors : Gökhan YILMAZ

Pages : 46-55

View : 17 | Download : 11

Publication Date : 2017-03-29

Article Type : Review Paper

Abstract :Hidrojenlendirilmiş mikrokristal silisyum insert ignore into journalissuearticles values(µc-Si:H); ince film malzemeler sahip oldukları optoelektronik özellikleri, üretim sürecinin kolaylığı ve ucuzluğu açısından tek kristal silisyum insert ignore into journalissuearticles values(c-Si); ve Hidrojenlendirilmiş amorf silisyuma insert ignore into journalissuearticles values(a-Si:H); göre daha çok tercih edilen bir malzeme grubudur. Özellikle malzeme üretim teknolojilerinin gelişmesi ile µc-Si:H ince film malzemelerin kullanım alanları da gelişmiş ve gelişmektedir. Diyot, Sensör, TFT, Fotovoltaik ve Heteroeklem uygulamarı bu gelişmeye örneklerdir. Bu gelişime bağlı olarak yüksek elektronik kalitede insert ignore into journalissuearticles values(State of Art); malzemelerin üretilmesi ve uygulama alanları konusunda araştırmacıların dikkatini çekmektedir. Ancak µc-Si:H ince film malzemeler üretim sonrası elektronik olarak kararsızlık insert ignore into journalissuearticles values(metastabilite); problemi bulunmaktadır. Araştırmacılar metastabilite probleminin 1983 yılında belirlenmesinden beri hala çözümü için çalışıyorlar. Maalesef µc-Si:H ince film malzemelerin metastabilite problemi için nihai bir çözümü günümüze kadar bulunamamıştır. Bu nedenle bu çalışmada µc-Si:H ince film malzemenin üretimi, kristalografik yapısı, elektronik yapısı, optiksel ve elektriksel özellikleri detaylı bir literatür araştırması ve bulguları ile metastabilite problemi bakış açısından incelenmiştir.
Keywords : µc Si H, a Si H, VHF PECVD, Karanlık Öziletkenlik, Foto Öziletkenlik