GaAs yarıiletken yüzeyinde mikro yarıkların üretilmesi ve FLIM tekniği ile yüzey karakterizasyonu

Farklı üretim koşulları altında gerçekleştirilen çift hücreli elektrokimyasal aşındırma metodu ile p-tipi Galyum arsenik insert ignore into journalissuearticles values(GaAs); yarıiletken üzerinde paralel mikro yarıklar başarılı bir şekilde üretilmiştir. Mikro yarıkların yüzey morfolojisini analiz etmek için alan emisyonlu taramalı elektron mikroskobu insert ignore into journalissuearticles values(SEM); kullanılmıştır. GaAs yüzeyinde derinliği 210 ile 30 nm arasında değişen mikro yarıklar oluştuğu gözlemlenmiştir. Aynı zamanda, mikro yarıkların kimyasal yapısı enerji dağılımlı X-ışını spekroskopisi insert ignore into journalissuearticles values(EDS); tekniği ile belirlenmiştir. EDS analizi mikro yarıkların yaklaşık olarak 1:1 atomik oranlarda galyum insert ignore into journalissuearticles values(Ga); ve arsenik insert ignore into journalissuearticles values(As); elementlerini içerdiğini doğrulamıştır. Mikro yapılı GaAs yüzeyin zaman uyumlu foto ışıma özelliklerini incelenmek için fluoresans yaşam ömrü görüntüleme mikroskopi insert ignore into journalissuearticles values(FLIM); tekniği uygulanmıştır. 210, 70 ve 30 nm derinliğe sahip olan mikro yarıkların üzerindeki taşıyıcı ömürleri sırasıyla 0.70, 0.37 and 0.25 ns olarak ölçülmüştür. Taşıyıcı rekombinasyon ömrünün, yüzey rekombinasyonlarından dolayı yarıkların derinliğine güçlü bir şekilde duyarlı olduğu sonucuna varılmıştır. Aynı zamanda, GaAs mikro yarıkların yüzey rekombinasyon hızı 42.63 ×10^2 cm⁄s olarak hesaplanmıştır. Üretilen mikro yarıklar optoelektronik aygıt uygulamaları için ilgi çekici görünmektedir.