Ti/ p-GaN Schottky Diyotunun Elektriksel Parametrelerinin İncelenmesi

Home Page
About
Submit A Journal
Submit A Conference
Submit Paper/Book
- Submit a Preprint
- Submit a Book
Contact

Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
Volume:12 Issue:2
Ti/ p-GaN Schottky Diyotunun Elektriksel Parametrelerinin İncelenmesi

Ti/ p-GaN Schottky Diyotunun Elektriksel Parametrelerinin İncelenmesi

Pages : 752-760

View : 51 | Download : 8

Publication Date : 2022-06-01

Article Type : Research Paper

Abstract :Ti/p-GaN Schottky diyotunun elektriksel özellikleri araştırıldı. İdealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnç (Rs) gibi temel diyot parametreleri akım-gerilim (I-V) karakteristiği özelliklerinden faydalanarak geleneksel I-V yöntemi, Cheung fonksiyonları ve Norde yöntemi ile incelendi. İdealite faktörü (n) I-V yönteminde 1.62 ve Cheung fonksiyonlarından 3.54 olarak hesaplandı. Farklı yöntemlerden hesaplanan engel yüksekliği (Фb) değerlerinin birbirine yakın değerlerde olduğu bulundu. Ti / p-GaN Schottky diyotunun hesaplanan seri direnç (Rs) değerleri de kohm mertebesinde olduğu görüldü. Ti/p-GaN Schottky diyotunun arayüzey durum yoğunluğunun büyüklüğü 6.35 × 1012 cm−2 eV−1 ile 3.48 × 1013 cm−2 eV−1 arasında değiştiği belirlendi.
Keywords : Schottky diyot, engel yüksekliği, Norde yöntemi, Cheung fonksiyonları, I V yöntem

ORIGINAL ARTICLE URL

* There may have been changes in the journal, article,conference, book, preprint etc. informations. Therefore, it would be appropriate to follow the information on the official page of the source. The information here is shared for informational purposes. IAD is not responsible for incorrect or missing information.